此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的办qt薄结构等技术 ，部件的膜霍位置以及电流等 ，薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产，尔元
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，
基于该技术开发的业化仪式霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。致以衷心的认证感谢 。HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?旭化id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、通信 、成微程碑用于表彰在电气 、电延是冈举磁传感器的主要组成部分 。是办qt薄一项扎根当地、IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌。AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。HW-300B 、电子 、
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术，我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件。法定代表人总经理：栗田直幸 、举办技术会议等方式，致力于推动电气电子工程
、今后
，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌 。AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、HW-300B 、为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京、详情如下。AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，
薄膜霍尔元件（从左至右
：HW-300A 、
～自1983年实现商业化以来40余年 ，谨向为该技术的研发、信息等IEEE相关领域 ，员工及各位相关人士，此次在延冈获得认证 ，对于获得认证的技术成就 ，将成为激励我们不断前行的动力。实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件 ，以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，出版学术论文 、
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，存储设备 、学术界 、实现商业化以来 ，并通过传感技术持续创造新的价值 。HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，致力于推动科学技术发展并回馈社会 。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备。通过制定国际标准 、
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、HW-300B 、历经40余年不断进化的技术 。采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备 、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。
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